汤琨

汤琨长期从事宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件的研究工作，近年来聚焦金刚石材料生长、掺杂调控、电子/量子器件等领域，并取得丰富的研究成果；在包括Appl Phys Lett, IEEE Trans Electron Dev, Opt Lett, Diamond & Relat Mater等在内的知名专业期刊上发表70余篇SCI论文，引用1000余次，授权国家发明专利数项。