2006和2011年分别在南京大学匡亚明学院和物理学院获理学学士和工学博士学位
2011-2014年在新加坡科技局——数据存储研究院(Data Storage Institute, A*STAR)担任科学家
2014-2017年在南京大学电子科学与工程学院担任副研究员
2017年被聘为南京大学电子科学与工程学院副教授，硕士生导师

2022年被聘为南京大学电子科学与工程学院副教授，博士生导师

汤琨长期从事宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件的研究工作，近年来聚焦金刚石材料生长、掺杂调控、电子/量子器件等领域，并取得丰富的研究成果；在包括Appl Phys Lett, IEEE Trans Electron Dev, Opt Lett, Diamond & Relat Mater等在内的知名专业期刊上发表70余篇SCI论文，引用1000余次，授权国家发明专利数项。

《半导体器件基础》，本科三年级
《微电子专业导学》，本科一年级
《高等半导体物理》，研究生

[1] B. Feng, K. Tang*, et al, "Electrical Properties of Boron-Doped Diamond MOSFETs with SiO₂ As the Gate Dielectric", IEEE Trans. Electron Dev. (2026) accepted

[2] G. Y. Zhao, K. Tang*, et al, “Implementation of a nitrogen-vacancy micro-pillar array in diamond for a quantum imaging application with improved sensitivity”, Opt. Lett. 51, 953 (2026).

[3] G. Y. Zhao, K. Tang*, et al, "The regulation of the crystalline, fluorescence, and the spin properties of nitrogen-doped diamond films by controlling boron precursors", Diamond Relat. Mater. 169, 114212 (2026). 

[4] W. K. Zhao, Y. Teng, K. Tang*, et al, “A Theoretical study on dopants substituted on the H-terminated surface regulating the threshold concentration of nitrogen for accelerating diamond growth”, Diamond Relat. Mater. 147, 111317 (2024).

[5] Y. Teng, W. K. Zhao, K. Tang*, et al, “Nitrogen adsorption induced surface kinetics changes of diamond growth by MPCVD”, Diamond Relat. Mater. 146, 111181 (2024).