2000年南京大学毕业，2003年香港大学硕士，2007年英国Strathclyde大学博士。
2008-2013 日本立命馆大学，日本学术振兴会JSPS博士后及高级研究员；
2013-2016 日本千叶大学，副教授；
2016-2018 日本国立理化学研究所(RIKEN)，研究员；
2018年起南京大学电子学院教授，RIKEN客座研究员；2020年获聘南京大学紫金学者，江苏省特聘教授。
长期从事宽禁带半导体光电材料与器件的前沿研究，包括宽禁带氮化物半导体材料外延生长，物性分析，新型光电器件，尤其是氮化物分子束外延生长(MBE)技术。在 Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.、Scientific Reports、Appl. Phys. Express 等国际学术刊物发表SCI 论文50余篇，国际学术会议邀请报告10余次，多种学术刊物审稿人。主持国家自然科学基金项目一项、江苏省重点研发计划重点项目课题一项。参与科技部重大项目一项、重点研发计划一项。在日期间主持日本学术振兴会项目两项，参与日本学术振兴会、日本科学技术振兴机构等大型项目七项。对氮化物半导体的一些前沿难题进行了深入研究，如：高铟组分InGaN和高铝组分AlGaN 的外延生长机制、p-型掺杂控制、量子阱、超晶格、二维空穴气等。近年重点研究深紫外发光器件，二维空穴气及GaN基互补型集成电路，基于GaN多量子阱的量子级联激光器，面向单光子探测的GaN基光阴极探测器等。
