刘斌

微电子与光电子学系 教授、博导

个人简历

刘斌,教授,博导,电子学院副院长,分管本科教学与人才培养工作;2003年本科毕业于中山大学理工学院,2008年毕业于南京大学物理系微电子与固体电子学专业,获博士学位,其博士论文获得全国优秀博士论文提名奖,曾先后在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家研究中心、瑞典皇家工学院(KTH)、美国耶鲁大学,香港中文大学等访问研究。他长期 III族氮化物异质结构和光电子器件,半导体固态照明与显示技术 ,2010年获得霍英东教育基金会青年基金资助,2012年获得教育部新世纪优秀人才计划支持,2014年获国家自然科学基金委优秀青年基金资助,2016年入选教育部青年长江学者。主持国家重点研发计划项目,自然科学基金项目3项、省部级项目10余项,参加国家重大研究“973”、“863”计划项目多项。截止目前,已在Advanced Materials,Advanced Functional Materials, Nano Letters, Applied Physics Letters,IEEE EDL、TED、PTL等重要学术期刊上发表学术论文180余篇,其中第一/通讯作者63篇,申请/授权中国或美国发明专利60余项,成果荣获教育部自然科学一等奖、技术发明一等奖,中国产学研合作创新成果一等奖等。

研究方向

1.宽带隙半导体材料及异质结构;2.III族氮化物半导体光电子器件;3.半导体固态照明与Micro-LED显示技术

主要课程

本科生:《半导体物理与器件》、《半导体物理》、《南京大学科学之光》、《微电子与光电子前沿讲座》 
 研究生:《高等半导体物理》、《光电子材料与器件》

代表成果

2015-2020

1.      Semi-polar (20-21) InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned sapphire substrate with internal quantum efficiency up to 52 per cent/ APPLIED PHYSICS EXPRESS:  13:  9 文献号: 091002 出版年:  2020 (通讯作者,Compound Semiconductor报道)

2.      The optimization of surface plasmon coupling efficiency in InGaN/GaN nanowire based nanolasers/APPLIED PHYSICS EXPRESS  :  13   :  8     文献号: 085001  出版年:  2020  (通讯作者,APEX Latest Spotlights)

3.      Band Alignment and Interface Recombination in NiO/beta-Ga2O3 Type-II p-n Heterojunctions/IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   : ‏ 67   : ‏ 8   : ‏ 3341-3347   出版年: 2020

4.      Hybrid Light Emitters and UV Solar-Blind Avalanche Photodiodes based on III-Nitride Semiconductors/ADVANCED MATERIALS  :  32   :  27     文献号: 1904354   出版年:  2020 (第一作者)

5.      epsilon-Ga2O3: A Promising Candidate for High-electron-Mobility Transistors/IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS :  41:  7:  1052-1055出版年:  2020

6.      Charge Transport in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes: A Refined Physical Model for Conductive Dislocations/IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES  :  67   :  3   :  841-846   出版年: 2020 (通讯作者)

7.      High-Performance Semi-Polar InGaN/GaN Green Micro Light-Emitting Diodes/IEEE PHOTONICS JOURNAL  :  12   :  1     出版年: 2020 (通讯作者)

8.      Plasmon-enhanced photoelectrochemical water splitting by InGaN/GaN nano-photoanodes/ SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY  :  35   :  2     文献号: 025017   出版年: 2020 (通讯作者)

9.      The influence of an AlN seeding layer on nucleation of self-assembled GaN nanowires on silicon substrates/ NANOTECHNOLOGY :  31:  4 文献号: 045604  出版年: 2020 (通讯作者)

10.   Improvement of the interfaces in AlGaN/AlN superlattice grown by NH3 flow-rate modulation epitaxy/ APPLIED PHYSICS EXPRESS  :  13   :  1     文献号: 015511   出版年: 2020 (通讯作者)

11.   Improved Performance of Hybrid Organic/Inorganic p-n Heterojunction White Light-Emitting Diodes with 4,4 '-Cyclohexane-1,1-diylbis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline] as a Multifunctional Hole Transport Layer/PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE  :  217   :  7   特刊:  SI     文献号: 1900763   出版年:  2020 (通讯作者,封面高亮论文)

12.   Electron-Beam-Driven III-Nitride Plasmonic Nanolasers in the Deep-UV and Visible Region/SMALL  :  16   :  1     文献号: 1906205   出版年:  2020 (通讯作者,封面高亮论文—Small十周年推荐论文)

13.   Synthesis and Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Nanowires on Si (111) by Molecular Beam Epitaxy/PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE  :  217   :  7   特刊:  SI     文献号: 1900729   出版年: 2020 (通讯作者,封面高亮论文)

14.   Fabrication and Characterization of GaN-Based Micro-LEDs on Silicon Substrate/CHINESE PHYSICS LETTERS  :  36   :  8     文献号: 088501   出版年:  2019(通讯作者)

15.   A High-Performance SiO2/SiNx 1-D Photonic Crystal UV Filter Used for Solar-Blind Photodetectors /IEEE PHOTONICS JOURNAL  :  11   :  4     文献号: 2201007   出版年: 2019

16.   Observation and Modeling of Leakage Current in AlGaN Ultraviolet Light Emitting Diodes/ IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   :  31   :  21   :  1697-1700   出版年:  2019 (通讯作者)

17.   Electrically Injected Hybrid Organic/Inorganic III-Nitride White Light-Emitting Diodes Based on Rubrene/(InGaN/GaN) Multiple-Quantum-Wells P-N Junction/IEEE PHOTONICS JOURNAL  :  11   :  4     文献号: 8200808   出版年: 2019 (通讯作者)

18.   Single-crystal GaN layer converted from beta-Ga2O3 films and its application for free-standing GaN/ CRYSTENGCOMM   : ‏ 21   : ‏ 8   : ‏ 1224-1230   出版年: 2019

19.   Homo-epitaxial growth of high crystal quality GaN thin films by plasma assisted-molecular beam epitaxy/ JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   :  506   :  30-35   出版年: 2019 (通讯作者)

20.   Hybrid Cyan Nitride/Red Phosphors White Light-Emitting Diodes With Micro-Hole Structures/IEEE PHOTONICS JOURNAL   :  10   :  5     文献号: 8201608   出版年: 2018 (通讯作者)

21.   Influence of high Mg doping on the microstructural and optoelectrical properties of AlGaN alloys/ SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES   :  119   :  150-156   出版年: 2018 (通讯作者)

22.   Enhanced p-type conduction in AlGaN grown by metal-source flow-rate modulation epitaxy/ APPLIED PHYSICS LETTERS   :  113   :  7     文献号: 072107   出版年: 2018 (通讯作者)

23.   Tunneling-Hopping Transport Model for Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes/ IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   :  29   :  17   :  1447-1450   出版年: 2017

24.   Fabrication of AI GaN nanorods with different AI compositions for emission enhancement in UV range/ NANOTECHNOLOGY   :  28   :  38     文献号: 385205   出版年: 2017 (通讯作者)

25.   Manipulable and Hybridized, Ultralow-Threshold Lasing in a Plasmonic Laser Using Elliptical InGaN/GaN Nanorods/ ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   :  27   :  37     文献号: 1703198   出版年:  2017 (通讯作者,封面高亮论文)

26.   Study of LED Thermal Resistance and TIM Evaluation Using LEDs With Built-in Sensor/ IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   :  29   :  21   :  1856-1859   出版年:  2017

27.   Polarized Emission From InGaN/GaN Single Nanorod Light-Emitting Diode/ IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   :  28   :  7   :  721-724   出版年: 2016 (通讯作者)

28.   Design and fabrication of UV band-pass filters based on SiO2/Si3N4 dielectric distributed bragg reflectors/ APPLIED SURFACE SCIENCE   :  364   :  886-891   出版年:  2016  (通讯作者)

29.   Great enhancement in the excitonic recombination and light extraction of highly ordered InGaN/GaN elliptic nanorod arrays on a wafer scale/ NANOTECHNOLOGY   :  27   :  1   文献号: 015301   出版年:  2016 (通讯作者,封面高亮论文)

30.   High Color Rendering Index Hybrid III-Nitride/Nanocrystals White Light-Emitting Diodes/ ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   :  26   :  1   :  36-43   出版年: 2016(通讯作者,封面高亮论文)

31.   Reverse leakage current characteristics of GaN/InGaN multiple quantum-wells blue and green light-emitting diodes/ IEEE PHOTONICS JOURNAL  :  8   :  5     文献号: 1601606   出版年: 2016 (通讯作者)

32.   Significant improvements in InGaN/GaN nano-photoelectrodes for hydrogen generation by structure and polarization optimization/ SCIENTIFIC REPORTS   :  6     文献号: 20218   出版年: 2016(通讯作者)

33.   AlGaN-Based Multiple Quantum Well Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Polarization Doping/ IEEE PHOTONICS JOURNAL   :  8   :  1     文献号: 1600207   出版年: 2016

34.   Single nanowire green InGaN/GaN light emitting diodes/ NANOTECHNOLOGY  :  27   :  43     文献号: 435205   出版年: 2016 (通讯作者)

35.   Improvement of color conversion and efficiency droop in hybrid light-emitting diodes utilizing an efficient non-radiative resonant energy transfer/ APPLIED PHYSICS LETTERS  :  109   :  14     文献号: 141105   出版年: 2016 (通讯作者)

36.   In-Situ Measurement of Junction Temperature and Light Intensity of Light Emitting Diodes With an Internal Sensor Unit/IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   :  36   :  10   :  1082-1084   出版年: 2015

37.   Investigation of surface-plasmon coupled red light emitting InGaN/GaN multi-quantum well with Ag nanostructures coated on GaN surface/JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   :  117   :  15     文献号: 153103   出版年:  2015 (通讯作者)

38.   Optical polarization characteristics of c-plane InGaN/GaN asymmetric nanostructures/ JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   :  118   :  23     文献号: 233111   出版年: 2015 (通讯作者)

39.   Asymmetric tunneling model of forward leakage current in GaN/InGaN light emitting diodes/AIP ADVANCES   :  5   :  8     文献号: 087151   出版年: 2015 (通讯作者)

40.   Enhanced opto-electrical properties of graphene electrode InGaN/GaN LEDs with a NiOx inter-layer/SOLID-STATE ELECTRONICS   :  109   :  47-51   出版年: 2015 (通讯作者)

41.   Enhanced non-radiative energy transfer in hybrid III-nitride structures/APPLIED PHYSICS LETTERS   :  107   :  12    文献号: 121108  出版年: 2015

 

Before 2015

42.   Effect of the band structure of InGaN/GaN quantum well on the surface plasmon enhanced light-emitting diodes/JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   : ‏ 116   : ‏ 1     文献号: 013101   出版年: 2014 (通讯作者)

43.   Temporally and spatially resolved photoluminescence investigation of (11(2)over-bar2) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nanorod templates/APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 105   : ‏ 26     文献号: 261103   出版年: 2014  (第一作者)

44.   Large-scale fabrication and luminescence properties of GaN nanostructures by a soft UV-curing nanoimprint lithography/NANOTECHNOLOGY   : ‏ 24   : ‏ 40     文献号: 405303   出版年: 2013 (通讯作者,封面高亮论文)

45.   Exploitation of Polarization in Back-Illuminated AlGaN Avalanche Photodiodes/IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   : ‏ 25   : ‏ 15   : ‏ 1510-1513   出版年: 2013 (通讯作者)

46.   Great emission enhancement and excitonic recombination dynamics of InGaN/GaN nanorod structures/APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 103   : ‏ 10     文献号: 101108   出版年: 2013 (第一作者)

47.   Hybrid III-Nitride/Organic Semiconductor Nanostructure with High Efficiency Nonradiative Energy Transfer for White Light Emitters/NANO LETTERS   : ‏ 13   : ‏ 7   : ‏ 3042-3047   出版年: 2013

48.   Improvements in Microstructure and Leakage Current of High-In-Content InGaN p-i-n Structure by Annealing/IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   : ‏ 24   : ‏ 17   : ‏ 1478-1480   出版年: 2012  (通讯作者)

49.   Magnetic and electrical properties of epsilon-Fe3N on c-plane GaN/JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   : ‏ 45   : ‏ 31     文献号: 315002   出版年: 2012 (通讯作者)

50.   Composition pulling effect and strain relief mechanism in AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors/APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 98   : ‏ 26     文献号: 261916   出版年: 2011 (第一作者)

51.   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films/APPLIED PHYSICS A  : ‏ 99   : ‏ 1   : ‏ 139-143   出版年: 2010  (第一作者)

52.   Polarization and temperature dependence of photoluminescence of m-plane GaN grown on gamma-LiAlO2 (100) substrate/APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 95   : ‏ 6     文献号: 061905   出版年: 2009 (第一作者)

53.   Improved Performances of InGaN Schottky Photodetectors by Inducing a Thin Insulator Layer and Mesa Process/IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   : ‏ 30   : ‏ 6   : ‏ 605-607   出版年: 2009

54.   Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs/ IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   : ‏ 45   : ‏ 5-6   : ‏ 575-578   出版年: 2009

55.   Al incorporation, structural and optical properties of AlxGa1-xN (0.13 <= x <= 0.8) alloys grown by MOCVD/ JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   : ‏ 310   : ‏ 21   : ‏ 4499-4502   出版年: 2008 (第一作者)

56.   Microstructure and dislocation of epitaxial InN films revealed by high resolution x-ray diffraction/JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   : ‏ 103   : ‏ 2     文献号: 023504   出版年: 2008 (第一作者)

57.   Anisotropic crystallographic properties, strain, and their effects on band structure of m-plane GaN on LiAlO2(100)/ APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 92   : ‏ 26     文献号: 261906   出版年: 2008 (第一作者)

58.   Two-step growth of m-plane GaN epilayer on LiAlO2 (100) by metal-organic chemical vapor deposition/JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   : ‏ 298   特刊: ‏ SI   : ‏ 228-231   出版年: 2007

59.   The template effects on AlN/Al0.3Ga0.7N distributed Bragg reflectors grown by MOCVD/JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   : ‏ 298   特刊: ‏ SI   : ‏ 357-360   出版年: 2007  (第一作者)

60.   The high mobility InN film grown by MOCVD with GaN buffer layer/JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   : ‏ 298   特刊: ‏ SI   : ‏ 409-412   出版年: ‏ 2007  

61.   Nonpolar m-plane thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2(100) substrates/APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 91   : ‏ 25     文献号: 253506   出版年: 2007  (第一作者)

62.   Comment on Radiative and nonradiative recombination process in InN films grown by metal organic chemical vapor deposition / APPLIED PHYSICS LETTERS   : ‏ 87   : ‏ 17   文献号: 176101   出版年: 2005  (第一作者)


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