Advanced Science|南大团队制备可集成式硅纳米线场效应晶体管，可承受高达50%的拉伸应变，能用于可拉伸脑机接口和柔性显示界面

在大面积超柔性聚合物衬底上规模集成高性能硅基电子器件是实现新一代可拉伸柔性电子皮肤逻辑、传感和显示应用的关键技术难点。尽管柔性有机薄膜已被广泛用于可拉伸FET器件，但其相对较低的载流子迁移率和较差的器件稳定性限制了其规模化器件应用。此外，无机一维纳米线沟道材料具有高迁移率、低成本等优势，可用于开发各种高性能、低功耗柔性电子逻辑和超灵敏的场效应探测器件，但往往难以精确可控地实现规模集成应用。迄今为止，除了将SOI衬底上制备的晶硅逻辑规模转移到柔性PI衬底上外，还没有在高弹性PDMS衬底上实现大面积电子兼容的高性能可拉伸柔性晶硅电子器件制备和验证。

针对此需求，南京大学余林蔚、徐骏教授团队探索将高品质的一维硅纳米线（SiNWs）阵列可靠转移集成到弹性衬底PDMS之上，实现了超可拉伸的高性能场效应晶体管（FET）器件应用。基于课题组自组创新（见附录）的（In-plane solid-liquid-solid, IPSLS）生长模式，首先制备了规则有序的超细晶硅纳米线（直径可以承受高达50 %的拉伸应变和超过1000个循环的重复拉伸测试(20 %应变下)，其空穴载流子迁移率、电流开关比I_on/I_off和亚阈值摆幅（SS）分别为~70 cm2V⁻¹s⁻¹，>105和134-277 mV/dec。这为探索和实现更先进的可拉伸电子皮肤、超柔性和非平面显示驱动（TFT）逻辑和生物传感/激励应用提供了理想可靠的高性能驱动逻辑器件基础！